0 0 0
  7. SH8MA3TB1

Транзисторы многоканальные SH8MA3TB1

 
SH8MA3TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739924
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.61 грн
25+
23.34 грн
56+
18.10 грн
154+
17.15 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
7/-6А(1950947)
Сопротивление в открытом состоянии
57/73мОм(1950948)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,8Вт(1487293)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,2/10нC(1950888)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8MA3TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739924
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 7/-6А; Idm: 18А; 2,8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.61 грн
25+
23.34 грн
56+
18.10 грн
154+
17.15 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
7/-6А
Сопротивление в открытом состоянии
57/73мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,2/10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g