0 0 0
  7. SH8MA4TB1

Транзисторы многоканальные SH8MA4TB1

 
SH8MA4TB1
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739957
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
30.51 грн
25+
27.41 грн
48+
21.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
9/-8,5А(1950949)
Сопротивление в открытом состоянии
32,5/41,3мОм(1950950)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
3Вт(1487308)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15,5/19,6нC(1950890)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18А(1741667)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SH8MA4TB1
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739957
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
30.51 грн
25+
27.41 грн
48+
21.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
9/-8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
32,5/41,3мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15,5/19,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g