0 0 0
  7. UM6K31NFHATCN

Транзисторы многоканальные UM6K31NFHATCN

 
UM6K31NFHATCN
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739931
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.91 грн
25+
10.07 грн
100+
8.89 грн
130+
7.79 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
UMT6(1951162)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,25А(1702094)
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом(1536801)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные UM6K31NFHATCN
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739931
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.91 грн
25+
10.07 грн
100+
8.89 грн
130+
7.79 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
UMT6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g