0 0 0
  7. UM6K33NTN

Транзисторы многоканальные UM6K33NTN

 
UM6K33NTN
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739929
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
18.89 грн
10+
13.93 грн
25+
11.41 грн
50+
9.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
UMT6(1951162)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом(1609658)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные UM6K33NTN
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739929
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
18.89 грн
10+
13.93 грн
25+
11.41 грн
50+
9.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
UMT6
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
7,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g