0 0 0
  7. VT6M1T2CR

Транзисторы многоканальные VT6M1T2CR

 
VT6M1T2CR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481163
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.86 грн
25+
7.80 грн
100+
7.02 грн
185+
5.38 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VMT6(1838843)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
0,1/-0,1А(1996962)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5/3,8Ом(1838840)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,4А(1838841)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные VT6M1T2CR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 481163
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.86 грн
25+
7.80 грн
100+
7.02 грн
185+
5.38 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
VMT6
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
0,1/-0,1А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5/3,8Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g