Модули IGBT SEMIX206GD12T4P 27896030

 
SEMIX206GD12T4P 27896030
 
Артикул: 1008405
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53 496.18 грн
12+
51 768.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
SEMIKRON(37)
Корпус
SEMiX® 6p(1988072)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
200А(1441734)
Ток коллектора в импульсе
600А(1441748)
Применение
для UPS(1471489) инвертор(1612514) преобразователь частоты(1612515) фотоэлектрика(1827405)
Электрический монтаж
Press Fit(1448224)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
3-фазный мост IGBT(1645602) термистор(1612517)
Дополнительная информация: Масса брутто: 325 g
 
Модули IGBT SEMIX206GD12T4P 27896030
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008405
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53 496.18 грн
12+
51 768.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
SEMIKRON
Корпус
SEMiX® 6p
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
600А
Применение
для UPS
Применение
инвертор
Применение
преобразователь частоты
Применение
фотоэлектрика
Электрический монтаж
Press Fit
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
3-фазный мост IGBT
Топология
термистор
Дополнительная информация: Масса брутто: 325 g