Модули IGBT SEMIX303GB12E4I50P 27897007

 
SEMIX303GB12E4I50P 27897007
 
Артикул: 1008419
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; шунтирующий резистор
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32 535.13 грн
12+
31 525.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
SEMIKRON(37)
Корпус
SEMiX® 3p(1799555)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
300А(1441741)
Ток коллектора в импульсе
900А(1750632)
Применение
для UPS(1471489) инвертор(1612514) преобразователь частоты(1612515) фотоэлектрика(1827405)
Электрический монтаж
Press Fit(1448224) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
термистор(1612517) полумост IGBT(1612529) шунтирующий резистор(1863115)
Дополнительная информация: Масса брутто: 350 g
 
Модули IGBT SEMIX303GB12E4I50P 27897007
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008419
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; шунтирующий резистор
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
32 535.13 грн
12+
31 525.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
SEMIKRON
Корпус
SEMiX® 3p
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
300А
Ток коллектора в импульсе
900А
Применение
для UPS
Применение
инвертор
Применение
преобразователь частоты
Применение
фотоэлектрика
Электрический монтаж
Press Fit
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
термистор
Топология
полумост IGBT
Топология
шунтирующий резистор
Дополнительная информация: Масса брутто: 350 g