Модули IGBT SK100GD12T7ETE2 24922310

 
SK100GD12T7ETE2 24922310
 
Артикул: 1008432
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
19 822.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
SEMIKRON(37)
Корпус
SEMITOPE2(1974727)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
100А(1441720)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Применение
для UPS(1471489) инвертор(1612514) преобразователь частоты(1612515) фотоэлектрика(1827405)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
термистор(1612517) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 25 g
 
Модули IGBT SK100GD12T7ETE2 24922310
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008432
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
19 822.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
SEMIKRON
Корпус
SEMITOPE2
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Применение
для UPS
Применение
инвертор
Применение
преобразователь частоты
Применение
фотоэлектрика
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
термистор
Топология
IGBT three-phase bridge OE output
Дополнительная информация: Масса брутто: 25 g