Модули IGBT SKIIP 11HEB066V1 25230830

 
SKIIP 11HEB066V1 25230830
 
Артикул: 1008539
Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 984.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
SEMIKRON(37)
Корпус
MiniSKiiP® 1(1604504)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
diode/thyristor/IGBT(1788743)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
15А(1440962)
Ток коллектора в импульсе
30А(1441708)
Применение
для UPS(1471489) инвертор(1612514) преобразователь частоты(1612515) фотоэлектрика(1827405)
Электрический монтаж
Press Fit(1448224)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
booster(1712523) 3-фазный мост IGBT(1645602) 1-фазный диодно-тиристорный мост(1645700)
Дополнительная информация: Масса брутто: 58 g
 
Модули IGBT SKIIP 11HEB066V1 25230830
SEMIKRON DANFOSS
Артикул: 1008539
Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 600В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 984.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
SEMIKRON
Корпус
MiniSKiiP® 1
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
diode/thyristor/IGBT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
15А
Ток коллектора в импульсе
30А
Применение
для UPS
Применение
инвертор
Применение
преобразователь частоты
Применение
фотоэлектрика
Электрический монтаж
Press Fit
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
booster
Топология
3-фазный мост IGBT
Топология
1-фазный диодно-тиристорный мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 58 g