0 0 0
  8. P0R5B60HP2-5071

Транзисторы с каналом N SMD P0R5B60HP2-5071

 
P0R5B60HP2-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449521
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.02 грн
3+
43.94 грн
10+
32.85 грн
25+
30.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2999 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,3нC(1479177)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2А(1709875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,36 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P0R5B60HP2-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449521
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.02 грн
3+
43.94 грн
10+
32.85 грн
25+
30.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2999 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,3нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,36 g