0 0 0
  8. P10F50HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P10F50HP2-5600

 
P10F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449671
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.38 грн
5+
72.65 грн
18+
57.96 грн
47+
54.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
79Вт(1740747)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g
 
Транзисторы с каналом N THT P10F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449671
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 10А; Idm: 40А; 79Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.38 грн
5+
72.65 грн
18+
57.96 грн
47+
54.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
79Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
20нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g