0 0 0
  8. P10F60HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P10F60HP2-5600

 
P10F60HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449672
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 10А; Idm: 40А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.74 грн
5+
74.93 грн
17+
60.88 грн
45+
57.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 346 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,562 g
 
Транзисторы с каналом N THT P10F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449672
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 10А; Idm: 40А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.74 грн
5+
74.93 грн
17+
60.88 грн
45+
57.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 346 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
23нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,562 g