Транзисторы с каналом N THT P13F50HP2-5600

 
P13F50HP2-5600
 
Артикул: 449675
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 13А; Idm: 52А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.40 грн
5+
71.81 грн
16+
62.45 грн
44+
59.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 470 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,56 g
 
Транзисторы с каналом N THT P13F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449675
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 13А; Idm: 52А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.40 грн
5+
71.81 грн
16+
62.45 грн
44+
59.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 470 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
25нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,56 g