Транзисторы с каналом N THT P15F50HP2-5600

 
P15F50HP2-5600
 
Артикул: 449676
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 15А; Idm: 60А; 90Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.96 грн
5+
74.15 грн
16+
64.01 грн
43+
60.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 171 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,564 g
 
Транзисторы с каналом N THT P15F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449676
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 15А; Idm: 60А; 90Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
81.96 грн
5+
74.15 грн
16+
64.01 грн
43+
60.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 171 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
27нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,564 g