0 0 0
  8. P22F10SN-5600

Транзисторы с каналом N THT P22F10SN-5600

 
P22F10SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449682
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
55.49 грн
25+
46.60 грн
30+
33.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
EETMOS3(1829963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
66А(1742462)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g
 
Транзисторы с каналом N THT P22F10SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449682
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
55.49 грн
25+
46.60 грн
30+
33.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
34нC
Технология
EETMOS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
66А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g