Транзисторы с каналом N SMD P25B6EB-5071

 
P25B6EB-5071
 
Артикул: 449569
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; полевой; 60В; 25А; Idm: 70А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.68 грн
25+
26.58 грн
44+
22.21 грн
119+
21.00 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 547 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм(1479159)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,5нC(1609913)
Технология
EETMOS2(1829962)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,364 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P25B6EB-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449569
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; полевой; 60В; 25А; Idm: 70А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.68 грн
25+
26.58 грн
44+
22.21 грн
119+
21.00 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 547 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,5нC
Технология
EETMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,364 g