0 0 0
  8. P4F60HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P4F60HP2-5600

 
P4F60HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449693
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.76 грн
5+
51.83 грн
25+
46.52 грн
27+
37.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 500 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
12,5нC(1609817)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,548 g
 
Транзисторы с каналом N THT P4F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449693
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.76 грн
5+
51.83 грн
25+
46.52 грн
27+
37.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 500 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
12,5нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,548 g