0 0 0
  8. P50F10SN-5600

Транзисторы с каналом N THT P50F10SN-5600

 
P50F10SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449695
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.47 грн
5+
91.33 грн
14+
72.59 грн
38+
68.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 263 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
51Вт(1741968)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
114нC(1609968)
Технология
EETMOS3(1829963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,552 g
 
Транзисторы с каналом N THT P50F10SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449695
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
101.47 грн
5+
91.33 грн
14+
72.59 грн
38+
68.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 263 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
51Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
114нC
Технология
EETMOS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,552 g