0 0 0
  8. P5F50HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P5F50HP2-5600

 
P5F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449697
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
46.22 грн
25+
41.45 грн
28+
34.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 100 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
52,5Вт(1741838)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
10,5нC(1609889)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,557 g
 
Транзисторы с каналом N THT P5F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449697
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.97 грн
5+
46.22 грн
25+
41.45 грн
28+
34.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 100 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
10,5нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,557 g