Транзисторы с каналом N THT P5F60HP2-5600

 
P5F60HP2-5600
 
Артикул: 449699
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.17 грн
5+
51.18 грн
24+
42.13 грн
65+
39.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 47 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,55 g
 
Транзисторы с каналом N THT P5F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449699
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 5А; Idm: 20А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.17 грн
5+
51.18 грн
24+
42.13 грн
65+
39.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 47 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
15нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,55 g