0 0 0
  8. P66F7R5SN-5600

Транзисторы с каналом N THT P66F7R5SN-5600

 
P66F7R5SN-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449700
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.64 грн
5+
90.50 грн
14+
73.34 грн
25+
72.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 85 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
66А(1599492)
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
51Вт(1741968)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
115нC(1607626)
Технология
EETMOS3(1829963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
264А(1812416)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g
 
Транзисторы с каналом N THT P66F7R5SN-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449700
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
100.64 грн
5+
90.50 грн
14+
73.34 грн
25+
72.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 85 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
66А
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
51Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
115нC
Технология
EETMOS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
264А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,6 g