0 0 0
  8. P6B52HP2-5071

Транзисторы с каналом N SMD P6B52HP2-5071

 
P6B52HP2-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449632
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.65 грн
5+
45.29 грн
25+
35.86 грн
31+
32.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 27 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напряжение сток-исток
520В(1639664)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
71Вт(1740779)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12,5нC(1609817)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
24А(1759122)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,365 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P6B52HP2-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449632
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.65 грн
5+
45.29 грн
25+
35.86 грн
31+
32.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 27 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напряжение сток-исток
520В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
71Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12,5нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
24А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,365 g