0 0 0
  8. P80FG7R5EN-5071

Транзисторы с каналом N SMD P80FG7R5EN-5071

 
P80FG7R5EN-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449647
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; полевой; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.24 грн
5+
92.92 грн
14+
74.65 грн
37+
70.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 833 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FG (TO263AB)(1829957)
Напряжение сток-исток
70В(1441528)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм(1693692)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
128Вт(1741931)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Технология
EETMOS2(1829962)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,817 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P80FG7R5EN-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449647
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; полевой; 70В; 80А; Idm: 320А; 128Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.24 грн
5+
92.92 грн
14+
74.65 грн
37+
70.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 833 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FG (TO263AB)
Напряжение сток-исток
70В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
128Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
67нC
Технология
EETMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,817 g