0 0 0
  8. P8B10SB-5071

Транзисторы с каналом N SMD P8B10SB-5071

 
P8B10SB-5071
 
SHINDENGEN
Артикул: 449657
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 8А; Idm: 24А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.98 грн
25+
23.64 грн
53+
18.86 грн
146+
17.84 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1857 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
FB (TO252AA)(1829950)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16,5нC(1609963)
Технология
EETMOS3(1829963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
24А(1759122)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,364 g
 
Транзисторы с каналом N SMD P8B10SB-5071
SHINDENGEN
Артикул: 449657
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; полевой; 100В; 8А; Idm: 24А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.98 грн
25+
23.64 грн
53+
18.86 грн
146+
17.84 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1857 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
SMD
Корпус
FB (TO252AA)
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16,5нC
Технология
EETMOS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
24А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,364 g