0 0 0
  8. P8F50HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P8F50HP2-5600

 
P8F50HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449711
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.95 грн
5+
46.19 грн
25+
41.66 грн
29+
35.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 137 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,557 g
 
Транзисторы с каналом N THT P8F50HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449711
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.95 грн
5+
46.19 грн
25+
41.66 грн
29+
35.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 137 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
15нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,557 g