0 0 0
  8. S2M0025120K

Транзисторы с каналом N THT S2M0025120K

 
S2M0025120K
 
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 725231
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 250А; 517Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 037.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS(1827)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
517Вт(1741909)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...25В(1981126)
Ток стока в импульсном режиме
250А(1714519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT S2M0025120K
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 725231
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 250А; 517Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 037.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
517Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
130нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Ток стока в импульсном режиме
250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g