0 0 0
  7. S2M0080120N

Транзисторные модули MOSFET S2M0080120N

 
S2M0080120N
 
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 833701
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 594.81 грн
2+
1 508.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS(1827)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
137мОм(1812406)
Рассеиваемая мощность
176Вт(1740764)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
82А(1823192)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,38 g
 
Транзисторные модули MOSFET S2M0080120N
SMC DIODE SOLUTIONS
Артикул: 833701
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; 176Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 594.81 грн
2+
1 508.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SMC DIODE SOLUTIONS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
137мОм
Рассеиваемая мощность
176Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
82А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,38 g