0 0 0
  8. DG20X06T1

Транзисторы IGBT THT DG20X06T1

 
DG20X06T1
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746641
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.77 грн
5+
123.51 грн
11+
98.97 грн
29+
93.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 52 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220(1437014)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
29А(1613975)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Время включения
26нс(1621606)
Время выключения
200нс(1441703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
313Вт(1741812)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,14мкC(1950534)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,013 g
 
Транзисторы IGBT THT DG20X06T1
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746641
Транзистор: IGBT; 600В; 29А; 313Вт; TO220
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
137.77 грн
5+
123.51 грн
11+
98.97 грн
29+
93.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 52 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO220
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
29А
Ток коллектора в импульсе
60А
Время включения
26нс
Время выключения
200нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
313Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,14мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,013 g