0 0 0
  8. DG30X07T2

Транзисторы IGBT THT DG30X07T2

 
DG30X07T2
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746642
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
201.11 грн
3+
180.52 грн
8+
140.93 грн
20+
133.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
0,1мкс(1519240)
Время выключения
306нс(1757703)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
208Вт(1741773)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,22мкC(1950537)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,12 g
 
Транзисторы IGBT THT DG30X07T2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 746642
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 208Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
201.11 грн
3+
180.52 грн
8+
140.93 грн
20+
133.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
0,1мкс
Время выключения
306нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
208Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,22мкC
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,12 g