0 0 0
  7. GD100SGY120D6S

Модули IGBT GD100SGY120D6S

 
GD100SGY120D6S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732074
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 509.01 грн
2+
1 426.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
D6(1593199)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
100А(1441720)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топология
одиночный транзистор(1612521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 24 g
 
Модули IGBT GD100SGY120D6S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732074
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 509.01 грн
2+
1 426.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
D6
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
200А
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Топология
одиночный транзистор
Дополнительная информация: Масса брутто: 24 g