0 0 0
  7. GD200HFU120C2S

Модули IGBT GD200HFU120C2S

 
GD200HFU120C2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732061
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 016.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
C2 62mm(1750437)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
200А(1441734)
Ток коллектора в импульсе
400А(1441739)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Ultra Fast NPT-IGBT®(1694426)
Топология
полумост IGBT(1612529)
Дополнительная информация: Масса брутто: 300 g
 
Модули IGBT GD200HFU120C2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732061
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 016.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
C2 62mm
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Ultra Fast NPT-IGBT®
Топология
полумост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 300 g