0 0 0
  7. GD25PJY120L3S

Модули IGBT GD25PJY120L3S

 
GD25PJY120L3S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732077
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 900.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L3.0(1950606)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Advanced Trench FS IGBT(1950594)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) 3-фазный диодный мост(1612510) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 39 g
 
Модули IGBT GD25PJY120L3S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732077
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 25А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 900.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L3.0
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
50А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Advanced Trench FS IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
3-фазный диодный мост
Топология
IGBT three-phase bridge OE output
Дополнительная информация: Масса брутто: 39 g