0 0 0
  7. A2C50S65M2

Модули IGBT A2C50S65M2

 
A2C50S65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 467882
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 889.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Корпус
ACEPACK™2(1830417)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Применение
двигатели(1492838) инвертор(1612514)
Рассеиваемая мощность
208Вт(1741773)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) полумост IGBT x3(1612512) 3-фазный диодный мост(1612510)
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g
 
Модули IGBT A2C50S65M2
STMicroelectronics
Артикул: 467882
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 889.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Корпус
ACEPACK™2
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Применение
двигатели
Применение
инвертор
Рассеиваемая мощность
208Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
полумост IGBT x3
Топология
3-фазный диодный мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g