0 0 0
  7. A2P75S12M3

Модули IGBT A2P75S12M3

 
A2P75S12M3
 
STMicroelectronics
Артикул: 467883
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 076.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Корпус
ACEPACK™2(1830417)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Применение
двигатели(1492838) инвертор(1612514)
Рассеиваемая мощность
454,5Вт(1830420)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
термистор NTC(1612513) полумост IGBT x3(1612512)
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g
 
Модули IGBT A2P75S12M3
STMicroelectronics
Артикул: 467883
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
6 076.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Корпус
ACEPACK™2
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
150А
Применение
двигатели
Применение
инвертор
Рассеиваемая мощность
454,5Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
термистор NTC
Топология
полумост IGBT x3
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g