0 0 0
  8. IRF630

Транзисторы с каналом N THT IRF630

 
IRF630
 
STMicroelectronics
Артикул: 078683
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; полевой; 200В; 5,7А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.28 грн
3+
103.55 грн
10+
95.82 грн
25+
40.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 874 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
5,7А(1441269)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MESH OVERLAY™ II(1827825)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRF630
STMicroelectronics
Артикул: 078683
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; полевой; 200В; 5,7А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
111.28 грн
3+
103.55 грн
10+
95.82 грн
25+
40.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 874 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
5,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MESH OVERLAY™ II
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,95 g