0 0 0
  8. SCT50N120

Транзисторы с каналом N THT SCT50N120

 
SCT50N120
 
STMicroelectronics
Артикул: 079906
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 130А; 318Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 883.84 грн
3+
2 771.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HIP247™(1638650)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
318Вт(1742142)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
122нC(1701221)
Технология
SiC(1591568) SiCFET(1701219)
Напряжение затвор-исток
-10...25В(1981126)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,44 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCT50N120
STMicroelectronics
Артикул: 079906
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 130А; 318Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 883.84 грн
3+
2 771.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
HIP247™
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
318Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
122нC
Технология
SiC
Технология
SiCFET
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,44 g