0 0 0
  8. SCTWA30N120

Транзисторы с каналом N THT SCTWA30N120

 
SCTWA30N120
 
STMicroelectronics
Артикул: 436893
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 017.79 грн
2+
1 907.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HIP247™(1638650)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
34А(1441554)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
270Вт(1740763)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
105нC(1633312)
Технология
SiC(1591568)
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,06 g
 
Транзисторы с каналом N THT SCTWA30N120
STMicroelectronics
Артикул: 436893
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 34А; Idm: 90А; 270Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 017.79 грн
2+
1 907.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
HIP247™
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
34А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
270Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
105нC
Технология
SiC
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,06 g