0 0 0
  8. SGT120R65AL

Транзисторы с каналом N SMD SGT120R65AL

 
SGT120R65AL
 
STMicroelectronics
Артикул: 985307
Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
368.81 грн
5+
234.19 грн
12+
221.44 грн
1000+
212.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerFLAT 5x6(1810064)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-JFET(1492380)
Рассеиваемая мощность
192Вт(1740762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
3нC(1609780)
Технология
GaN(1742486)
Вид транзистора
HEMT(1880396)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...7В(1997436)
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SGT120R65AL
STMicroelectronics
Артикул: 985307
Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
368.81 грн
5+
234.19 грн
12+
221.44 грн
1000+
212.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-JFET
Рассеиваемая мощность
192Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
3нC
Технология
GaN
Вид транзистора
HEMT
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...7В
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g