0 0 0
  8. STB120NF10T4

Транзисторы с каналом N SMD STB120NF10T4

 
STB120NF10T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077455
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.07 грн
5+
130.24 грн
8+
123.26 грн
22+
116.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
77А(1479433)
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
312Вт(1741830)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,614 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB120NF10T4
STMicroelectronics
Артикул: 077455
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
148.07 грн
5+
130.24 грн
8+
123.26 грн
22+
116.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
77А
Сопротивление в открытом состоянии
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
312Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,614 g