0 0 0
  8. STB13N60M2

Транзисторы с каналом N SMD STB13N60M2

 
STB13N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077456
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.57 грн
5+
116.78 грн
10+
103.54 грн
26+
98.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 874 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,561 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB13N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 077456
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.57 грн
5+
116.78 грн
10+
103.54 грн
26+
98.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 874 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,561 g