0 0 0
  8. STB140NF55T4

Транзисторы с каналом N SMD STB140NF55T4

 
STB140NF55T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 497517
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 55В; 80А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.19 грн
5+
112.82 грн
12+
86.55 грн
32+
81.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
142нC(1479552)
Технология
STripFET™ F7(1714015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB140NF55T4
STMicroelectronics
Артикул: 497517
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 55В; 80А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
125.19 грн
5+
112.82 грн
12+
86.55 грн
32+
81.91 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
142нC
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g