0 0 0
  8. STB140NF75T4

Транзисторы с каналом N SMD STB140NF75T4

 
STB140NF75T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077460
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
160.38 грн
5+
145.59 грн
9+
119.89 грн
23+
112.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 86 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм(1441608)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,628 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB140NF75T4
STMicroelectronics
Артикул: 077460
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
160.38 грн
5+
145.59 грн
9+
119.89 грн
23+
112.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 86 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
6,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,628 g