0 0 0
  8. STB16NF06LT4

Транзисторы с каналом N SMD STB16NF06LT4

 
STB16NF06LT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077463
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 45Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.85 грн
5+
49.46 грн
25+
43.95 грн
26+
37.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,651 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB16NF06LT4
STMicroelectronics
Артикул: 077463
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 45Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
79.85 грн
5+
49.46 грн
25+
43.95 грн
26+
37.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,651 g