0 0 0
  8. STB18N60DM2

Транзисторы с каналом N SMD STB18N60DM2

 
STB18N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077464
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,6А; 90Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.27 грн
5+
147.14 грн
9+
112.89 грн
24+
107.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB18N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 077464
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,6А; 90Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
164.27 грн
5+
147.14 грн
9+
112.89 грн
24+
107.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,295Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g