0 0 0
  8. STB18NF25

Транзисторы с каналом N SMD STB18NF25

 
STB18NF25
 
STMicroelectronics
Артикул: 778739
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 250В; 12А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.33 грн
5+
110.84 грн
12+
87.42 грн
32+
82.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
250В(1441306)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
29,3нC(1478969)
Технология
STripFET™ F7(1714015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
68А(1785979)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB18NF25
STMicroelectronics
Артикул: 778739
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 250В; 12А; Idm: 68А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
123.33 грн
5+
110.84 грн
12+
87.42 грн
32+
82.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
250В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,165Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
29,3нC
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
68А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g