0 0 0
  8. STB42N65M5

Транзисторы с каналом N SMD STB42N65M5

 
STB42N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077476
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,8А; 190Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
535.53 грн
3+
409.57 грн
7+
387.16 грн
100+
373.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
20,8А(1520451)
Сопротивление в открытом состоянии
79мОм(1479128)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,743 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB42N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 077476
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,8А; 190Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
535.53 грн
3+
409.57 грн
7+
387.16 грн
100+
373.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
20,8А
Сопротивление в открытом состоянии
79мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,743 g