0 0 0
  8. STB55NF06T4

Транзисторы с каналом N SMD STB55NF06T4

 
STB55NF06T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077479
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.38 грн
5+
62.45 грн
22+
46.91 грн
58+
44.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,604 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB55NF06T4
STMicroelectronics
Артикул: 077479
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 110Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
80.38 грн
5+
62.45 грн
22+
46.91 грн
58+
44.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,604 g