0 0 0
  8. STB7NK80ZT4

Транзисторы с каналом N SMD STB7NK80ZT4

 
STB7NK80ZT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077487
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.48 грн
5+
99.35 грн
13+
76.30 грн
36+
72.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 580 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,681 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB7NK80ZT4
STMicroelectronics
Артикул: 077487
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.48 грн
5+
99.35 грн
13+
76.30 грн
36+
72.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 580 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,681 g