0 0 0
  8. STB80N20M5

Транзисторы с каналом N SMD STB80N20M5

 
STB80N20M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 077488
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
360.39 грн
5+
250.05 грн
12+
236.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
38А(1479331)
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB80N20M5
STMicroelectronics
Артикул: 077488
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 38А; 190Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
360.39 грн
5+
250.05 грн
12+
236.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
38А
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g