0 0 0
  8. STB80NF55L-06T4

Транзисторы с каналом N SMD STB80NF55L-06T4

 
STB80NF55L-06T4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077490
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 300Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.06 грн
5+
131.09 грн
10+
102.39 грн
27+
96.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 610 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,651 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB80NF55L-06T4
STMicroelectronics
Артикул: 077490
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 300Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.06 грн
5+
131.09 грн
10+
102.39 грн
27+
96.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 610 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,651 g